ASDEX—U有杂质注入的辐射边界放电和H—L转变

在ＡＳＤＥＸ－Ｕ托卡马克的高辐射偏滤器放电中研究了杂质辐射对Ｈ→Ｌ和Ｌ→Ｈ转变的影响，Ｈ模式和Ｌ模式之间的转变取决于注过分界面的净热功率Ｐｓｅｐ，Ｐｓｅｐ是从加热功率和辐射热测量分布计算出的，对于ＡＳＤＥＸ－Ｕ的典型辐射边界条件，辐射分布受真空紫外区域中的线发射支配，并在分界面附近达到峰值，对于氖用作种杂质的情况，大约有２／３的主室辐射是在内部，但接近分界发射的。氩种子使得芯部辐射份额较高，而氮的