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Acemap > Paper > 室温でのレーザープロセスを用いたワイドバンドギャップM2O3 (M=Al, Ga)薄膜のエピタキシャル成長に関する研究

室温でのレーザープロセスを用いたワイドバンドギャップM2O3 (M=Al, Ga)薄膜のエピタキシャル成長に関する研究

2016 
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