A method for producing a MOSFET with self-aligned damascene gate

Verfahren zur Herstellung eines Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET) (200) mit: Bilden eines Stegs (310) auf einem Substrat; Bilden einer Maske (320) auf dem Substrat durch Abscheiden von Damaszener-Material uber dem Substrat; Atzen der Maske (320), um einen Kanalbereich (330) des MOSFET's (200) freizulegen; Reduzieren einer Breite des Stegs (310) in dem Kanalbereich (330), wobei das Reduzieren der Breite des Stegs (310) Atzen einer oder mehrerer Flachen des Stegs (310) unter Anwendung eines Fluor-(F)Plasmaprozesses oder einer Plasmachemie auf Wasserstoff/Brom-(HBr)Basis umfasst; und Bilden eines Damaszener-Gates uber dem Steg (310), wobei das Damaszener-Gate sich uber beide Seiten des Stegs (310) hinaus erstreckt; und wobei der Schritt des Ausbildens des Damaszener-Gates das Abscheiden eines Gateelektrodenmaterials (520) uber dem Steg (310) und der Maske (320) und das Entfernen desselben von der Maske (320) nach dem Abscheiden umfasst.