ROL DE LOS ESTADOS SUPERFICIALES EN LA FORMACIÓN DE LA BARRERA DE SCHOTTKY

Estudiamos la influencia de los estados superficiales inducidos por quimisorcion (EIQ) sobre la posicion del nivel de Fermi E F , en la banda prohibida durante la formacion de la interfaz metal-semiconductor. Se distinguen dos etapas en la evolucion del mismo: 1) evolucion rapida, determinada por los EIQ que desplazan E F , hacia el centro de la brecha para cubrimientos q < 0,01 monocapas; 2) evolucion lenta (etapa final), determinada por la interaccion dipolar que desplaza E F , nuevamente hacia las bandas hasta alcanzar su posicion final una vez ocurrida la metalizacion.