掺杂Cu0对（Zr_（0.8）Sn_（0.2））TiO_4陶瓷介电性能的影响

采用固相反应法制备陶瓷样品，研究掺杂CuO对（zr0.8sn0.2）TiO4的微观结构和介电性能的影响。结果表明：掺杂降低了（Zr0.8Sn0.2）TiO4陶瓷的烧结温度，样品能够在1300℃下烧结成瓷，陶瓷密度和介电常数随着CuO的增加而增加，介电损耗随着掺杂量的增加而减少。XRD结果显示：样品的主晶相均为（zr0.8Sn0.2）TiO4相，ZnO和CuO的质量分数均为1％，烧结温度1350℃时，介电常数为40．5，损耗为0．0004（1MHz），介电性能最佳。