Monte Carlo study of coaxially gated CNTFETs : capacitive effects and dynamic performance

Le nanotube de carbone (CNT) est a ce jour l'un des candidats les plus prometteurs pour faire passer le transistor a effet de champ (FET) a l'echelle du nanometre. Des recherches intensives sont en cours afin de determiner les caracteristiques statiques et dynamiques des transistors a nanotube de carbone (CNTFET). Nous presentons dans cette etude des resultats de simulations de CTNFET par la methode Monte-Carlo avec prise en compte des interactions electrons-phonons. Un des objectifs est de presenter les proprietes du transport pouvant etre atteintes dans ce materiau par une evaluation du libre parcours moyen des porteurs. Une etude des caracteristiques statiques du CNTFET est realisee et permet de mettre en avant l'influence du controle capacitif par la grille sur les performances. Enfin nous comparons les performances d'un CNTFET avec celles obtenues par simulation d'un transistor a nanofil de Siliciun.