Mg 2 Si的电子结构和热电输运性质的理论研究

利用全势线性缀加平面波法,对Mg 2 Si的几何结构和电子结构进行了计算，得到了稳定的晶格参数以及能带和电子态密度.能带结构表明，Mg 2 Si为间接带隙半导体，禁带宽度为020 eV.在此基础上利用玻尔兹曼输运理论和刚性带近似计算了材料的电导率、Seebeck系数和功率因子.结果表明，在温度为700 K时p型和n型掺杂的Mg 2 Si功率因子达到最大时的最佳载流子浓度分别为7749×10 19 cm -3 和