Uniformite amelioree de tcm polycristallins par non alignement des microstructures

L'invention porte sur des procedes de fabrication de transistors en couches minces de silicium polycristallin de microstructure uniforme. L'un des procedes donne a titre d'exemple consiste a partir d'une couche mince de silicium polycristallin presentant une structure de grains periodique dans au moins une premiere direction, puis a placer au moins des parties (410, 420) d'un ou plusieurs transistors en couches minces sur la couche de depart en les inclinant relativement a la structure periodique de ladite couche.