AlxGa₁-xAs / AlAs / GaAs계로 이루어진 비대칭 이중 양자우물 구조에서의 광 Luminescence 특성 연구

AlxGa_(1-x)As/AlAs/GaAs계로 이루어진 비대칭 이중 양자우물 구조의 광학적 특성을 photoluminescence, photoluminescence excitation, time-resolved photoluminescence를 통하여 조사하였다. 양자장벽 AlAs의 두께에 따른 특성 변화를 조사하기 위하여 두께를 15Å, 150Å로 제작하였다. 양자장벽이 15Å인 경우 매우 빠른 전자의 관통 현상을 보여 주었으며, 이로 인해 AlxGa_(1-x)As의 여기자 재결합에 해당하는 피크가 관찰되지 않았다. AlAs 양자장벽이 150Å인 경우에는 AlxGa_(1-x)As 양자우물에서 여기자 재결합에 의한 피크가 50 ㎰ 이하로 빠른 decay 시간을 보여 주었으며 이것은 양자장벽과의 Γ-X전이에 의한 것으로 사료되었다. GaAs 양자우물에서의 luminescence decay는 두 시료 모두 1 ㎱정도 이었으나, 15Å인 경우에는 약 100 ㎰의 rise 시간이 존재하였으며 이것은 정공의 관통에 의한 시간으로 판명되었다.