磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ

Yoshihiko Fuji,Hideaki Fukuzawa,Hitoshi Iwasaki,Masahiro Takashita,Hiromi Yuasa,hitosi   iwasaki,hiromi   yuasa,hideaki   fukuzawa,yosihiko   fuzi,masahiro   kouge

磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ

2005

Yoshihiko Fuji
Hideaki Fukuzawa
Hitoshi Iwasaki
Masahiro Takashita
Hiromi Yuasa
hitosi iwasaki
hiromi yuasa
hideaki fukuzawa
yosihiko fuzi
masahiro kouge

【課題】スピントランスファートルクに起因するノイズの低減を図った磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリを提供する。【解決手段】磁化固着層、非磁性層、磁化自由層を有する磁気抵抗効果素子の磁化固着層、または磁化自由層内にＺｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｌａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕのいずれかを含む層を配置する。【選択図】図１

Correction
Source
Cite
Save
Machine Reading By IdeaReader

References

Citations