はんだ付半導体デバイス、実装はんだ付半導体デバイス、ならびにはんだ付半導体デバイスの製造方法および実装方法

はんだ付半導体デバイス（１）は、基板（１０）と、基板（１０）上に配置された少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層（２０）と、ＩＩＩ族窒化物半導体層（２０）上に配置されたショットキー電極（４０）と、ショットキー電極（４０）上に配置されたパッド電極（５０）と、を含む半導体デバイス（１Ｄ）を含み、パッド電極（５０）は少なくともＰｔ層を含む複層構造を有し、半導体デバイス（１Ｄ）のパッド電極（５０）上に配置された融点が２００℃以上２３０℃以下のはんだ（６０）をさらに含む。これにより、ショットキー電極と、その上に配置されたパッド電極と、その上に配置されたはんだとを含むはんだ付半導体デバイスについて、半導体デバイスの特性を低下させることなくそのはんだによる実装が可能なはんだ付半導体デバイスが提供される。