ПОЛУЧЕНИЕ ПЛЕНОК ПОЛУПРОВОДНИКОВ AIIBVI И AIVBVI ДЛЯ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ МЕТОДОМ ИЗОВАЛЕНТНОГО ЗАМЕЩЕНИЯ НА ПОДЛОЖКЕ, ПРИГОТОВЛЕННОЙ ХИМИЧЕСКИМ ОСАЖДЕНИЕМ

Метод двухэтапного нанесения использован для получения пленок PbTe и CdSe на подложке из оксида или гидроксида соответствующего металла, приготовленного методом химического осаждения (МХО). На первом этапе на стеклянную подложку наносили пленки плюмбонакрита Pb10(CO3)6O(OH)6 или CdO2/Cd(O2)0.88(OH)0.24 по методу МХО, используя безаммиачный низкотемпературный процесс в щелочном водном растворе с соответствующими поставщиками ионов. Затем, на втором этапе, полученные пленки помещались в реактор химического парового нанесения с горячими стенками и газовой транспортировкой, где они служили подложкой в реакции изовалентного замещения неметаллического компонента теллуром или селеном с образованием пленок PbTe и CdSe. Поток азота 0.25 л/мин служил транспортирующим газом. Температура источника ионов активного газа выбиралась между температурой кипения (Tb) и плавления (Tm) для контроля выхода газа из источника. Температура подложки подбиралась так, чтобы обеспечить наилучшее качество пленок. Структурные и оптические исследования свидетельствуют о достаточном совершенстве пленок, что доказывает возможность их применения в качестве элементов солнечных преобразователей, в частности многопереходных конверторов.