High-quality GaAs MESFET's grown on Silicon substrates by molecular-beam epitaxy

On depose des couches epitaxiques de GaAs de 2,3 μm d'epaisseur sur des supports de Si(100) de diametre 3in avec une desorientation de 4° vers (110). La densite de defauts morphologiques totale observee (2000 cm −2 ) est comparable a celle d'un GaAs typique depose sur GaAs par cette technique particuliere d'epitaxie par faisceau moleculaire. Les mobilites des electrons sont 3350 cm 2 /V.S et les niveaux de dopage 3×10 17 cm −3 , ce qui compare aux valeurs des transistors a effet champ MESFET ayant des longueurs de grilles de 1 μm en GaAs sur GaAs, avec de bonnes valeurs de saturation et de pincement, pas de sensibilite decelable a la lumiere, et des transconductances d'environ 200 mS/mm. Ce sont apparemment les premiers resultats de cette qualite pour GaAs depose sur Si