Fabrication de dispositifs de circuit integre mos

Dans un dispositif de circuit integre MOS, une structure de metallisation du niveau de porte a multicouches en polysilicium/siliciure metallique est disposee de maniere a former des portes et des interconnexions associees. Certaines des interconnexions sont destinees a etablir un contact avec des regions ohmiques du corps monocristallin (10) du dispositif. Conformement a un procede de fabrication simplifie, on utilise une etape d'implantation unique pour doper le siliciure metallique (34, 36) tout en dopant des parties du corps selectionnees. Pendant l'etape de chauffe ulterieure, une source (48), un drain (48) et des regions de contacts ohmiques (50) sont formes dans le corps. Pendant cette meme etape, on diffuse le dopant du siliciure metallique dans des couches soujacentes de polysilicium (42) et dans des parties du corps (52) se trouvant directement sous le polysilicium en quantites suffisantes pour rendre le polysilicium conducteur et pour former les regions de contacts ohmiques supplementaires dans le corps.