高响应度Al0.1Ga0.9N薄膜紫外探测器研究

在有机金属化学气相沉积的Al0.1Ga0.9N薄膜上设计并制作了光导型的紫外探测器。测试表明在波长为345nm光照下器件具有峰值响应度1050A／W，说明Al0.1Ga0.9N薄膜的禁带宽度被调至3．6eV，与计算结果吻合。在时间响应测试中，器件表现出持续光电导（PPC）现象，这使得器件的响应时间延长，然而，器件中可能存在的陷阱效应能够降低载流子复合几率，延长载流子寿命，从而导致了器件的高响应度，这将有利于器件在静态目标的高灵敏度探测领域的应用。