Formation d'une pellicule diélectrique à basse température par dépôt chimique en phase vapeur

La presente invention concerne un procede de depot d'une pellicule dielectrique sur un substrat comprenant les etapes consistant a placer une pluralite de substrats dans une enceinte de traitement, a chauffer l'enceinte de traitement jusqu'a une temperature de depot comprise entre 400 et moins de 650 °C, a introduire un premier gaz de procede contenant de la vapeur d'eau dans l'enceinte de traitement, a introduire un second gaz de procede contenant du dichlorosilane (DCS) dans l'enceinte de traitement, a maintenir une pression de gaz inferieure a 2 torr et a faire reagir les premier et second gaz de procede afin de deposer par voie thermique une couche d'oxyde de silicium sur la pluralite de substrats. Un mode de realisation comprend, en outre, une etape consistant a introduire un troisieme gaz de procede contenant du monoxyde d'azote (NO) dans l'enceinte de traitement pendant l'introduction des premier et second gaz de procede, puis a faire reagir la couche d'oxyde avec le troisieme gaz de procede afin de former une couche d'oxynitrure de silicium sur le substrat.