Carbure de silicium semi-isolant obtenu par dopage par transmutation neutronique

L'invention concerne un procede permettant d'obtenir des caracteristiques semi-isolantes hautement uniformes dans un carbure de silicium monocristallin destine a des applications de semi-conducteur. Ce procede consiste a soumettre le monocristal du carbure de silicium ayant un dopage net de type P et des niveaux profonds a un rayonnement neutronique jusqu'a ce que la concentration de 31P soit egale au dopage net de type P original ou le depasse tout en restant egal ou inferieur a la somme de la concentration de niveaux profonds et du dopage net de type P original.