A process for the preparation of FET transistor elements with higher stability of transistor characteristics in early formed high-k / metal gate

Verfahren, umfassend: Bilden einer Ausnehmung (204) in einem aktiven Gebiet (202a) einer Halbleitervorrichtung (200) in Gegenwart einer Gateelektrodenstruktur (260a), wobei die Gateelektrodenstruktur (260a) ein High-k-Dielektrikumsmaterial (262) umfasst; Bilden eines ersten Nassreinigungsprozesses (215), um eine Ruckseite (201r) eines Substrats (201) der Halbleitervorrichtung (200) zu reinigen, wahrend das in einer Vorderseite (201f) des Substrats (201) gebildete aktive Gebiet (202a) gespult wird; Durchfuhren eines zweiten Nassreinigungsprozesses (208) vor einem epitaktischen Aufwachsprozess (216); Bilden einer Halbleiterverbindung (251) in der Ausnehmung (204) unter Durchfuhren des epitaktischen Aufwachsprozesses (216); und Bilden von Source- und Drainbereichen (253) in wenigstens einem Bereich der Halbleiterverbindung (251).