分子束外延生长高速直接调制1.3μmInAs/GaAs量子点激光器

2011 
介绍了分子束外延生长高速直接调制1.3μmInAs/GaAs量子点激光器。通过对量子点的生长温度和堆叠层数的优化研究,外延并制作了有源区包含5层InAs/GaAs量子点的1.3μm脊型波导边发射激光器。输出特性测试结果表明,条宽4μm、腔长600μm的量子点激光器室温阈值电流仅为5mA,激射中心波长位于1293nm,并且可以在10-100℃范同内实现连续激射。大信号调制眼图测试表明,激光器在25℃下可以实现12Gb/s眼图的清晰张开。
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