Doppelgate- and tri-gate transistors with independent access in the same process flow

Verfahren, umfassend: Bilden von mindestens zwei Siliziumkorpern mit daruberliegenden Isolierelementen; Strukturieren einer Opferschicht, wobei Gatebereiche definiert werden, welche die Siliziumkorper kreuzen; Umgeben der strukturierten Opferschicht mit einem dielektrischen Material, Bedecken eines der Isolationselemente; Entfernen des anderen Isolationselements; Entfernen der strukturierten Opferschicht; Bilden einer Isolationsschicht und Metallschicht innerhalb der Gatebereiche.