Procede de fabrication d'un photodetecteur comportant un compose semiconducteur cristallin epitaxie a partir d'une couche de graphene

L'invention porte sur un procede de fabrication d'un photodetecteur adapte a detecter un rayonnement electromagnetique d'interet, comportant : une couche support realisee en un materiau electriquement isolante ; une couche de graphene reposant sur la couche support ; et au moins une portion cristalline de detection, realisee en un compose semiconducteur cristallin apte a absorber le rayonnement electromagnetique d'interet. Le procede de fabrication comporte une etape de croissance epitaxiale de la portion cristalline de detection directement a partir de la couche de graphene.