Etude de l’effet « belly shape » dans les HEMT GaN sur substrat SiC

Dans cette communication, nous etudions un effet parasite appele « belly shape », qui se caracterise par l’apparition d’un courant de fuite en exces sur la caracteristique en direct de la diode Schottky pour des faibles valeurs de VGS, et qui apparait au cours des tests de vieillissement apres seulement quelques heures de test. Des mesures electriques en temperature, des mesures de bruit en basses frequences et des mesures de microscopie a emission de lumiere (EMMI) nous permettent de proposer une interpretation physique de ce mecanisme.