Caracterisation de l'interface silicium/acide fluorhydrique : processus electrochimiques sous faible perturbation de potentiel

Les solutions d'acide fluorhydrique dilue sont utilisees pour la dissolution de l'oxyde sio#2 de surface. Afin de cerner le mecanisme de dissolution du silicium monocristallin, nous avons concu une cellule electrochimique autorisant des mesures reproductibles. Cette cellule a permis determination precise des differents facteurs qui conditionnent la vitesse de corrosion du silicium dans cet electrolyte: ces facteurs sont principalement l'eclairage, l'oxygene dissous, et la presence de contaminants metalliques a l'etat de traces. Un modele theorique d'interpretation est presente: il est fonde sur la theorie du transfert electronique des semiconducteurs, et en prenant en compte le fait que deux transferts ont lieu simultanement. D'autres methodes physiques modernes, spectroscopie de fluorescence x en incidence rasante, microscopie a force atomique, indicateurs radioactifs, permettant de confirmer les mecanismes intervenant dans la caracterisation de l'interface