I-型硅基笼合物Ba8Ga16ZnxSi30—x的合成及电传输特性

用固相反应法结合熔融法合成Zn掺杂单相n型Ba8Ga16ZnxSi30-x化合物，探索Zn在Si位的取代对其结构及电传输特性的影响规律．研究结果表明：x=1时化合物的平均键角畸变△θ最大为4．4°；当取代分数x=0，2，4时，对应样品的电导率明显高于x=1，3时对应样品的电导率，在室温附近，Ba8Ga16Zn2Si28化合物表现出较高的电导率，约为3．0×10^5S／m，当x=1时，对应化合物的电导率在测试温度范围内最低；当取代分数x=0，2，4时对应样品的Seebeck系数明显高于x=1，3时对应样品的Seebeck系数，且随着填充分数的增加，Seebeck系数分别逐渐降低；Ba8Ga16Zn2Si28化合物在测试温度范围内表现出较好的电性能，在1000K处具有最大的功率因子1．03×10^-3W／（m·K^2）．