Sulfurization and selenization of CIGS layers electrodeposited by thermal annealing

L'invention concerne un procede de fabrication en couches minces d'alliages semi-conducteurs de type I-III-VI2 incluant du soufre, pour des applications photovoltaiques, dans lequel on depose d'abord sur un substrat une heterostructure comprenant une couche mince de precurseur I-III-VI2 sensiblement amorphe et une couche mince incluant au moins du soufre, puis on recuit l'heterostructure pour favoriser, a la fois la diffusion du soufre dans la couche de precurseur, et la cristallisation au moins partielle de l'alliage I-III-VI2 de la couche de precurseur avec une stoechiometrie incluant ainsi du soufre. Une couche de selenium additionnelle peut etre egalement deposee pour assister les phenomenes de recristallisation ou de recuit.