전력증폭기용 SiC 기반 GaN TR 소자 제작

본 논문에서는 Si가 도핑된 Modulation-doped AlGaN/GaN 이종 접합 구조를 가지는 전력증폭기용 MISHFET 소자를 제작하였다. 제작된 GaN TR 소자는 6H-SiC(0001)의 Substrate 위에 성장시켰으며, 180 nm의 gate length를 가진다. 제작된 소자를 측정한 결과, 837 ㎃/㎜의 최대 드레인 전류 특성, 177 mS/㎜의 gm(Tranconductance)을 가지며, fT는 45.6 ㎓, f㎃X는 46.5 ㎓로 9.3 ㎓에서 1.54 W/㎜의 전력 밀도와 40.24 %의 PAE를 가지는 것으로 확인되었다.