Modèle électrique et caractérisation à haute fréquence de condensateurs intégrés sur interposeur silicium

La technologie des « Through Silicon Vias » (TSV) developpee pour les interconnexions des interposeurs silicium utilises dans les empilements 2.5D de circuits integres a inspire de nouveaux composants capacitifs, les « Through Silicon Capacitors » (TSC). Ce papier propose une methode de modelisation electrique par segments pour de larges matrices de plus de 100 TSCs. La technique de modelisation est ensuite validee experimentalement sur une large gamme de frequence (DC-10 GHz). Les matrices de TSC analysees presentent une forte densite de capacite (>23 nF/mm2), de faibles elements parasites et une frequence de resonance elevee (>1 GHz pour 10 nF). Ces resultats sont prometteurs pour le decouplage dans les reseaux d’alimentation des circuits integres tres rapides.