Modélisation et caractérisation de la conduction électrique et du bruit basse fréquence de structures MOS à multi-grilles

Avec la diminution constante des dimensions des dispositifs electroniques, les structures MOS font face a de nombreux effets physiques lies a la miniaturisation. Dans le but de maintenir le rythme d'integration indique par la loi de Moore, des nouvelles technologies, dont la structure resiste plus a ces effets physiques, remplacerons le transistor MOSFET bulk. Les modeles physiques permettant de predire le comportement des transistors MOS atteignent rapidement leurs limites quand ils sont appliques a ces structures emergentes. Ce travail de these est consacre au developpement des modeles numeriques et analytiques dedies a la caracterisation des nouvelles architectures SOI et a substrat massif. Nous nous focalisons sur la modelisation du courant de drain basee sur le potentiel de surface, ainsi qu'a la modelisation du comportement en bruit basse frequence de ces nouveaux dispositifs. Nous proposons un modele explicite decrivant les potentiels de surface avant et arriere d'une structure SOI. Nous developpons ensuite un modele de bruit numerique et analytique permettant de caracteriser les differents oxydes d'une structure FD SOI. La derniere partie de ce memoire est consacree a l'etude d'une nouvelle architecture du transistor MOS sur substrat massif. Une caracterisation de la conduction electrique de ce dispositif et de son comportement en bruit basse frequence sont presentes