МОДИФИКАЦИЯ МЕТОДА ВАН ДЕР ПАУ ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ВЫСОКООМНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Показано, что применение метода Ван дер Пау становится возможным при освещении приконтактных областей образца монохроматическим излучением изменяемой интенсивности с энергией квантов, большей ширины запрещенной зоны исследуемого материала. На основе модернизированного метода Ван дер Пау предложена методика определения параметров высокоомных полупроводников, таких как удельное сопротивление, концентрация свободных носителей заряда и их подвижность. Методика отработана на примере полуизолирующего арсенида галлия n-типа проводимости с концентрацией электронов при комнатной температуре порядка 107 см-3.