Surface-Field Induced Feature in the Quantum Yield of Silicon Near 3.5 eV

Observation, pour la premiere fois, d'une structure large au voisinage de 3.5 eV dans les spectres de rendement quantique interne de diverses photodiodes en silicium. Attribution de cette structure a un maximum local de production quantique de paires electron-trou pour les transitions directes au voisinage du point Γ de la zone de Brillouin du silicium. Des arguments qualitatifs suggerent que l'amplitude de cette structure croit avec l'augmentation de l'intensite du champ de surface due a l'ionisation d'impact et assistee par le champ et, dans le cas des surfaces depletees, au retrecissement de la bande interdite dans la region de depletion de la surface