Propriétés physico-chimiques et précipitation de l’oxygène dans le silicium : : modifications induites par le recuit rapide isotherme et application au gettering interne

Les proprietes de l'oxygene dans le silicium, lors de differents traitements thermiques utilises pour la fabrication des circuits integres, sont etudiees. Tout d'abord, la modification des grandeurs physico-chimiques associees, lors d'un recuit rapide isotherme, est mise en evidence par analyse nucleaire. La diffusion est augmentee et la solubilite limite diminue. De plus l'apparition d'un palier sur le profil d'exodiffusion de l'oxygene pour de courtes durees sous argon hydrogenee est signalee. Les chemins de precipitation de l'oxygene sont etudies, principalement par spectroscopie infrarouge a transformee de Fourier. Deux chemins de precipitation ont lieu simultanement: la formation des plaquettes et la croissance de precipites spheriques. Cette derniere serait favorisee par un recuit rapide isotherme prealable. Au cours d'un cycle de gettering interne, le meme effet apparait. Un recuit rapide isotherme introduirait une sursaturation de lacunes, qui augmenterait le coefficient de diffusion de l'oxygene et stabiliserait les embryons a l'origine des precipites spheriques. Ainsi, l'inhibition du gettering interne du chrome par ce type de recuit serait due a une modification du chemin de precipitation de l'oxygene. Enfin, cette etude fait apparaitre l'effet complexe de l'hydrogene, au cours des traitements thermiques, sur les proprietes de l'oxygene.