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26aXK-4 トポロジカル絶縁体TlBiSe_2のバルクキャリア制御された単結晶育成と表面状態の観測(26aXK 表面界面電子物性・トポロジカル,領域9(表面・界面,結晶成長))
26aXK-4 トポロジカル絶縁体TlBiSe_2のバルクキャリア制御された単結晶育成と表面状態の観測(26aXK 表面界面電子物性・トポロジカル,領域9(表面・界面,結晶成長))
2013
kai watari sirai
kenta kuroda
kazuaki okamoto
kanna miyahara
kouzi miyamoto
taiti okuda
syouzi arida
sigenori ueda
hirofumi namatame
masaki taniguti
yosifumi ueda
akio kimura
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