Élément électroluminescent semi-conducteur nitrure et procédé de fabrication d'élément électroluminescent semi-conducteur nitrure

La presente invention porte sur : un element electroluminescent semi-conducteur nitrure, qui est dispose sur une surface semi-polaire et a une augmentation d'une tension de polarisation requise pour une emission lumineuse supprimee ; et un procede de fabrication de l'element electroluminescent semi-conducteur nitrure. Une structure de puits multiquantiques d'une couche electroluminescente (17) qui est disposee sur un corps de base de support, qui a une surface principale semi-polaire (13a) et est compose d'un semi-conducteur nitrure hexagonal, est composee d'une couche de puits (17a), d'une couche de puits (17c) et d'une couche de barriere (17b). La couche de barriere (17b) est disposee entre la couche de puits (17a) et la couche de puits (17c), la couche de puits (17a) et la couche de puits (17c) sont composees d'InGaN, et la couche de puits (17a) et la couche de puits (17c) ont une composition en indium dans la plage de 0,15-0,50. Un angle d'inclinaison (a) de la surface principale (13a) du semi-conducteur nitrure hexagonal par rapport au plan c est dans la plage de 50-80 degres ou dans la plage de 130-170 degres, et une valeur (L) de l'epaisseur de film de la couche de barriere (17b) est dans la plage de 1,0-4,5 nm.