A process for producing Schottky diodes with metal gate electrodes

Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements (100), wobei das Verfahren Folgendes aufweist: – Bereitstellen eines Substrats (10) mit einem ersten Gebiet und einem zweiten Gebiet; – Ausbilden einer Gatedielektrikumsschicht mindestens uber dem zweiten Gebiet des Substrats (10); – Ausbilden einer ersten Dummy-Gateelektrode uber dem ersten Gebiet des Substrats (10), wobei die erste Dummy-Gateelektrode eine erste leitende Schicht und eine zweite leitende Schicht uber der ersten leitenden Schicht aufweist; – in dem zweiten Gebiet des Substrats (10) Ausbilden einer zweiten Dummy-Gateelektrode uber der Gatedielektrikumsschicht, wobei die zweite Dummy-Gateelektrode eine dritte leitende Schicht und eine vierte leitende Schicht uber der dritten leitenden Schicht aufweist; – Ausbilden eines ersten dotierten Gebiets (21) unter der ersten Dummy-Gateelektrode; – Ausbilden eines ersten Grabens durch Entfernen der ersten Dummy-Gateelektrode; – Ausbilden eines zweiten Grabens durch Entfernen der vierten leitenden Schicht und – Ausbilden einer Metallschicht uber dem Substrat (10), wobei ein erster Abschnitt der Metallschicht das erste dotierte Gebiet (21) in dem ersten Graben elektrisch kontaktiert und ein zweiter Abschnitt der Metallschicht den zweiten Graben mindestens teilweise fullt.