Étude paramétrique des performances statiques du transistor DT-SJMOS 1200 V

Dans cet article, nous presentons l'etude parametrique des performances statiques du transistor DT-SJMOS. Nous rappelons, dans un premier temps, la structure du transistor ainsi que ses caracteristiques technologiques. La structure est ensuite simulee a l'aide du logiciel TCAD Sentaurus dans le but d'etudier la sensibilite de ses performances statiques en fonction de la variation de differents parametres geometriques et technologiques. Il s'avere que les variations technologiques dans le volume de la structure sont nefastes a sa tenue en tension, alors que la geometrie de surface influence peu le comportement.