A Comparison of Internal Gettering during Bipolar, CMOS, and CCD (High, Medium, Low Temperature) Processes

La sensibilite de la performance des dispositifs aux defauts cristallins est assez differente pour les trois technologies. C'est pourquoi la comparaison s'effectue sur une base relative en recherchant les valeurs optimales d'oxygene precipite, de la distribution du precipite, de la morphologie et de la cinetique de precipitation pour obtenir la meilleure action de retention des impuretes. Pour obtenir le meilleur rendement il faut optimiser ces parametres individuellement pour chaque technologie et chaque type de circuit