Analyse par spectrométrie de masse et spectroscopie de photoélectrons X de films de nitrure de bore (BN) sur substrat en silicium

Dans cette etude, nous avons prepare des films de BN sur substrat en silicium par la technique d'ablation laser de cible specifique. L'irradiation d'une cible de nitrure de bore par un laser Nd:YAG (a deux longueurs d'onde: 532 et 266 nm) conduit a des films que nous avons caracterises par spectroscopie infra-rouge a Transformee de Fourier (FTIR), et principalement par spectroscopie de photoelectrons X (X ray photoelectrons spectroscopy: XPS) et par microsonde laser couplee a la spectrometrie de masse (laser microprobe mass spectrometry: LMMS). En premier lieu, nous avons montre par XPS que les films obtenus se caracterisent par la presence de bore lie a l'azote (BN) et par du bore elementaire. En second lieu, nous avons aborde les interactions laser-cible a l'aide de la microsonde laser couplee a la spectrometrie de masse. Cela nous a amenes a etudier la formation des clusters de recombinaison du bore et donc a comparer les spectres en modes positif et negatif issus de l'analyse des differents films avec ceux des materiaux de reference: BN (cible ayant servi a la realisation du film) et B 2 O 3 (oxyde susceptible de se former pendant la synthese du film). Pour la cible de nitrure de bore, les clusters de type B n N m +/- (1

Keywords:

• Analytical chemistry
• Crystallography
• Irradiation laser
• Chemistry
• Mineralogy
• atomic cluster

• Correction
• Cite
• Save
• Machine Reading By IdeaReader