ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ의 오믹 접합 형성방법

본 발명은, SiC MOSFET의 오믹 접합 형성방법에 있어서, SiC에 n형 도핑영역과 p형 도핑영역을 형성하는 제 1단계와; 상기 n형 도핑영역과 p형 도핑영역에 Ti와 Ni의 박막을 연속적으로 동시에 형성하는 제 2단계와; 상기 Ti와 Ni의 박막이 형성된 SiC를 열처리하여 n형 도핑영역과 p형 도핑영역에 오믹접합을 동시에 형성하는 제 3단계;를 포함하여 구성되는 SiC MOSFET의 오믹 접합 형성방법을 기술적 요지로 한다. 이에 따라, p형 영역과 n형 영역에 오믹 전극을 형성하기 위한 공정에 있어서 동일한 물질을 사용하여 p형 영역과 n형 영역에 대하여 동시에 오믹 전극을 형성함으로써 제작공정을 단순화하고, 또한 접촉저항을 낮춰서 SiC MOSFET 소자의 특성을 개선시키는 이점이 있다.