阳离子铱(III)配合物掺杂的SiO_2微粉的制备及在发光二极管中的应用

将硅酸乙酯水解得SiO 2 溶胶, 陈化1 d后掺入15.0wt%阳离子铱(III)配合物[Ir(ppy) 2 (o-phen)][PF 6 ](ppy: 2-苯基吡啶; o-phen: 1-乙基-2-(4-(5-(4-叔丁基苯基)-1, 3, 4-噁二唑-2-基)-苯基)-1H-咪唑并[4, 5-f][1, 10]菲啰啉), 45 ℃恒温3 d后室温放置10 d得干凝胶, 再经研磨和150 ℃干燥8 h制得黄色发光微粉。将所得的发光微粉按6.0、9.0、12.0、15.0、18.0和21.0wt%掺入到环氧树脂中, 作为下转换发光材料涂敷在395 nm发射的InGaN芯片上制备成LED器件。掺入12wt% SiO2微粉的LED发光性能最佳, 在40.0 mA正向电流和5 V反向电压下, 该LED达到最大发光效率51.9 lm/W, CIE色坐标为(0.42, 0.42)。