Dispositif a semiconducteur et procede de fabrication

La presente invention concerne un transistor bipolaire parasite dans lequel des porteurs minoritaires (AS) produits dans un substrat silicium sur isolant (1) par injection des porteurs (AS) dans la source d'un transistor MOS forme sur le substrat (1). Une zone dont la conductivite est opposee a celle de la couche a diffusion de source (11) du transistor MOS et un mecanisme de centres de recombinaison sont formes dans la couche a diffusion de source (11).