Point defects and non-stoichiometry in HgSe†

Hall coefficients and electron conductivities of HgSe crystals annealed in a broad range of Hg and Se vapour pressures are measured at room and liquid nitrogen temperatures. The dominant point defects in HgSe are Hg interstitials and Se and Hg vacancies. Formation enthalpies of these defects are estimated by thermodynamical analysis and are compared with other II-VI compounds. (P-T-x) diagram and existence region are obtained by the present annealing experiments. The electron concentration is expressed in terms of the gas pressure and the treatment temperature. Les coefficients de Hall et les conductivites d'electron de HgSe trempes dans un vaste domaine des pressions de la vapeur du Hg et Se, sont mesurees aux temperatures ambiante et du nitrogen liquide. Les defections de point dominants dans le HgSe sont les interstitiels Hg, et les vacancies Hg et Se. Les enthalpies de formation de ces defauts sont estimes par des analyses thermodinamiques et sont comparees avec d'autres composes II-VI. Le diagramme (P-T-x) et la region l'existence sont obtenus par les presentes experimentations de trempage. La concentration de l'electron est exprimes en fonction de la pression du gas et de la temperature de traitement.