Caractérisation en bruit hyperfréquences de transistors bipolaires à hétérojonction SiGe:C avancés jusque 170 GHz

Les mesures de bruit hyperfrequences sont essentielles pour etablir ou conforter un modele utilise en vue du design de circuits RF ou millimetriques. Ce papier expose une methodologie de mesures de bruit, avec des resultats sur transistors bipolaires a heterojonction SiGe:C jusqu'a 170 GHz, et ses principales difficultes au-dela de 100 GHz.