ESTUDIO DE LAS PROPIEDADES FÍSICAS DEL AlGaAs PARA POSIBLES APLICACIONES EN DISPOSITIVOS Y CELDAS SOLARES

En la actualidad, la mayor parte de los dispositivos electronicos son fabricados a partir de materiales semiconductores. Debido a sus multiples aplicaciones no solo en dispositivos optoelectronicas sino tambien en celdas solares, los materiales semiconductores de los grupos III-V han sido objeto de estudio en muchos centros de investigacion. Por tal motivo es que en este trabajo nos enfocamos en estudiar las propiedades opticas y estructurales de peliculas delgadas de AlGaAs obtenidas mediante la tecnica de deposito pulverizacion catodica asistida por campo magnetico. Este material en particular, despierta un gran interes debido a que su ancho de banda de energia puede variar desde 1,42 eV para el GaAs hasta 2,17 eV para el AlAs, dependiendo de la concentracion de Al en el ternario, y con una pequena variacion en su parametro de red, lo que favorece la formacion de multicapas. Las peliculas fueron depositadas sobre sustratos de vidrio y Si con orientacion (100) y se utilizaron blancos de Al y GaAs de alta pureza. Aprovechando las ventajas de la tecnica de deposito se realizaron diferentes muestras variando la temperatura del sustrato, la potencia de los blancos y el tiempo de deposito, debido a que pequenas variaciones en estos parametros pueden generar cambios importantes en las propiedades de la capa final. Para el analisis de las propiedades fisicas se utilizaron las tecnicas de caracterizacion difraccion de rayos x, espectroscopia Raman y espectroscopia UV-Vis. La informacion obtenida nos permitio caracterizar cada muestra, y relacionar la influencia de cada una de las variables, que podiamos controlar, con las propiedades fisicas del material depositado. Los resultados obtenidos nos permiten asegurar que hemos logrado encontrar las condiciones para el deposito de peliculas delgadas de AlGaAs por medio de la tecnica de pulverizacion catodica asistida por campo