用于浅沟道隔离(sti)的掺杂氧化物

本发明所述的实施例提供了用于以碳对STI中的氧化物进行掺杂以使窄结构和宽结构中的蚀刻率相等并且也使宽STI的角部变牢固的方法和结构。可以通过离子束(离子注入)或等离子体掺杂来进行这种碳掺杂。可以使用硬掩模层以防止下方的硅受到掺杂。通过使用该掺杂机制，硅和STI的平坦的表面形状能够实现先进的工艺技术的栅极结构图案化和ILD0间隙填充。