Transistors cmos haute performance a contrainte lineaire de dielectrique premetallique (pmd)

Selon l'invention, une couche de nitrure de silicium (110) est formee sur une grille de transistor (40) et sur des regions source et drain (70). Ladite couche (110) presente une premiere contrainte de traction et une concentration d'hydrogene elevee. La couche de nitrure de silicium (110) est recuite thermiquement, ce qui permet de convertir la premiere contrainte de traction en une deuxieme contrainte de traction, superieure a la premiere. Apres le recuit thermique, la concentration d'hydrogene dans la couche de nitrure de silicium (110) est superieure a 12 % atomiques.