Systèmes et procédés visant à réduire la capacité parasite

L'invention concerne des dispositifs et des procedes visant a reduire la capacite parasite. Le dispositif comprend une couche dielectrique (114). Le dispositif comprend une premiere et une deuxieme structure conductrice (102, 104), et une couche (105) d'arret de gravure a proximite de la couche dielectrique. La couche d'arret de gravure delimite une premiere et une deuxieme ouverture (109, 119) a proximite d'une region de la couche dielectrique, entre les premiere et deuxieme structures conductrices. Le dispositif comprend un premier et un deuxieme entrefer (107, 113) a l'interieur de la region. Le dispositif comprend une couche de materiau (110) a proximite (par exemple, sur, au-dessus ou par-dessus) la couche d'arret de gravure. La couche de materiau a proximite de la couche d'arret de gravure recouvre les premier et deuxieme entrefers.