Dispositif a semi-conducteur resistant aux temperatures elevees

L'objectif de l'invention est d'ameliorer les caracteristiques d'isolation d'un element semi-conducteur a large bande interdite et d'obtenir une resistance haute tension dans un dispositif a semi-conducteur a large bande interdite constitue de SiC ou similaire, utilise a une temperature superieure ou egale a 150 °C. A cet effet, un haut polymere synthetique, au moyen duquel la surface exterieure de l'element semi-conducteur a large bande interdite est revetu, est forme dans une structure tridimensionnelle au moyen d'une liaison covalente provoquee par une reaction d'addition, pour coupler des polymeres organosilicies C prepares au moyen d'une liaison siloxane pour coupler un ou plusieurs types de polymeres organosilicies A presentant une structure pontee faisant appel a du siloxane (liaison Si-O-Si) avec un ou plusieurs types de polymeres organosilicies B presentant une structure de couplage lineaire faisant appel a du siloxane.