トランジスタ、トランジスタの作製方法、半導体装置および電子機器

【課題】電気特性の良好なトランジスタを提供する。または、電気特性の安定したトランジスタを提供する。または、集積度の高い半導体装置を提供する。 【解決手段】チャネルが形成される半導体層に酸化物半導体を用いるトップゲート型のトランジスタにおいて、ゲート電極形成後に自己整合方式によって半導体層に元素を導入し、その後、ゲート電極の側面を構造体で覆う。構造体は酸化シリコンを含むことが好ましい。半導体層、ゲート電極、および構造体を覆う第１の絶縁層を形成し、第１の絶縁層上に、スパッタリング法で第２の絶縁層を形成する。第２の絶縁層の形成時に、第１の絶縁層に酸素を導入する。 【選択図】図１