Matériau semi-conducteur, procédé de fabrication d'un matériau semi-conducteur, et élément semi-conducteur

Selon l'invention, sur un substrat de Si (10) ou sur une couche intermediaire (20) appliquee sur celui-ci est formee une couche a gradient de composition (30). La couche a gradient de composition est composee d'AlXGa1-XN et le gradient de composition est tel que le rapport de teneur en Al dans la composition presente un gradient continu ou discontinu dans une direction de croissance du cristal. Sur la couche a gradient de composition (30) est formee une couche composite en reseau superpose (40) dans laquelle des couches a forte teneur en Al (41) composees d'AlYGa1-YN et des couches a faible teneur en Al (42) composees d'AlZGa1-ZN sont stratifiees en alternance, et sur la couche composite en reseau superpose (40) est formee une couche semi-conductrice au nitrure (50).