Film semi-conducteur en nitrure du groupe iii et son procede de production

L'invention concerne un film semi-conducteur en nitrure du groupe III comportant quelques defauts de reseau et presentant une forte epaisseur, ainsi que son procede de production. Un substrat en quartz et un semi-conducteur en nitrure du groupe III sont places sur la surface superieure d'une electrode inferieure, et on effectue une attaque. Des nano-piliers (50) sont formes sur la surface superieure du semi-conducteur en nitrure du groupe III (101). Un autre film semi-conducteur en nitrure du groupe III (53) est depose sur ces nano-piliers (50).